消息称台积电版特斯拉 AI5 芯片采用 3nm 工艺制程

台媒《工商时报》称，特斯拉 AI5 芯片的台积电版本基于 3nm 节点，设计合作伙伴为创意电子（GUC），流片进度比三星晶圆代工版本早一个季度。三星版 AI5 已完成流片，据信基于 2nm GAA 工艺，而台积电 3nm 采用 FinFET 架构，两版本在物理实现层面差异不小，三星版制造成本更高。