闪迪专利提出将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

闪迪最新专利（US 12,430,274 B2）提出一种 3D 堆叠架构，将搭载 CMOS 键合阵列（CBA）的 NAND 闪存裸片堆叠在主计算裸片下方，主计算裸片可为 AI 加速器或 GPU，同一中介层上仍搭载 HBM DRAM。