东芝出样 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET TW007D120E，面向下一代 AI 数据中心电源

东芝电子元件及存储装置株式会社开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET "TW007D120E" 测试样品，主要面向下一代 AI 数据中心电源系统（800V HVDC 架构）。该产品采用东芝专有沟槽栅结构，单位面积导通电阻较现有产品降低约 58%，品质因数提高约 52%。东芝计划在 2026 财年实现量产，并将继续拓展汽车应用等产品线。