SK 海力士被曝将在大连二厂建设 200 层中段 FG NAND 产线

SK 海力士计划在大连二厂建设“200 层中段”（250 层左右）的 FG 结构 3D NAND 产线，其大连一厂目前具备 192 层 FG NAND 量产能力。该公司去年完成 200 层以上 FG NAND 研发，计划 2026Q3 建设一条中试线，目标 2027H2 全面量产。FG 结构更适合 QLC NAND，可满足 AI 推理负载对读取密集型 SSD 的需求。