乔治亚理工学院研发铁电 NAND 闪存：可承受 1 亿次 X 光辐射，抗辐射能力超传统产品 30 倍

乔治亚理工学院科研人员开发出基于铁电材料（氧化铪）的 NAND 闪存，耐辐射能力是传统 NAND 的 30 倍，可承受 100 万拉德辐射剂量，相当于 1 亿次 X 光胸透。该芯片由博士生 Lance Fernandes 在洁净室制造并送宾夕法尼亚州立大学测试，成果已发表在《Nano Letters》上，可覆盖近地轨道、地球静止轨道及深空任务的全部辐射范围。