韩国团队开发新型半导体结构，让电流在二维材料中无阻碍流动

韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队开发出一种新型半导体结构，在单层二铅化物（PtSe₂）薄膜内连续实现半金属区与半导体区，使电流无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并通过对半导体区域施加电场验证了器件的稳定控制。该成果有望降低下一代半导体的接触电阻，研究发表于《Matter》杂志。