KeyBanc 研报：英特尔 18A 工艺良率升至 85%，EMIB-T 先进封装达 98%

英特尔 18A 工艺良率已从上一季度的 65% 提升至 85%，仅次于台积电 N2 的 90%，远高于三星 SF2 的 50-60%。EMIB-T 先进封装良率已达 98%，3 个月前为 90%。英特尔计划 2028 年下半年量产 14A 节点，并已获得 AMD、英伟达和 OpenAI 等客户订单。