消息称三星电子正为英伟达开发定制 8Hi HBM：17~18Gbps 高速设计

三星电子正为英伟达开发一款定制 HBM 内存，采用 8 层低堆叠设计，引脚速率达 17~18Gbps，原文同时称其为 HBM4E 和 NVHBM。三星此前出样的 HBM4E 支持至高 16Gbps，低堆叠设计可减少 DRAM Die 用量、提升良率并压低成本。