三星 HBM4E 可靠性测试良率突破 70%,D1d DRAM 目标 11 月通过 PRA
消息称三星 HBM4E 良率突破 70%,第七代 AI 内存开发进入稳定阶段
阅读原文
本站未展示全文,请前往来源网站阅读。
AI 导读
三星 CTO Song Jai Hyuk 在内部高管简报会上透露,HBM4E 可靠性测试良率已提升至 70% 以上,研发步入稳定轨道。三星今年 2 月率先量产 HBM4,5 月 29 日公布 12 层堆叠 HBM4E 规格并向主要客户送样,HBM4E 计划用于英伟达明年推出的 Vera Rubin Ultra。
来源:IT Home · ithome.com