湖北江城实验室研制出三维多层片上电容，密度突破每平方毫米 1000 纳法

湖北江城实验室成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米 1000 纳法，可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片。该电容可做在芯片内部或紧邻的硅基板内，适配 AI 芯片纳秒级大电流瞬态响应，目标客户涵盖国内 CPU、GPU、手机处理器厂商。目前相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。