美光 HBM4 增产进展顺利，HBM4E 计划明年启动大规模生产

美光 HBM4 量产爬坡速度已达到去年 12 层 HBM3E 的约两倍，良率提升更快，并计划明年启动 HBM4E 量产。HBM4 主要面向英伟达 Vera Rubin AI 计算平台，HBM4E 核心裸片将改用 1γ 工艺，基础裸片改由台积电代工。三星电子与 SK 海力士也在推进 HBM4E 开发，分别计划今年第二季度和下半年提供样品。