大阪公立大学可编程热器件亮相：非互易因子接近 0.9，断电可记忆配置

大阪公立大学研究团队开发出一种可编程热器件，在仅 3 度入射角下实现接近 0.9 的非互易因子，远超以往设计所需的掠射角。该器件由磁光半导体 InAs 与相变材料 GST 构成，GST 层作为非易失性开关，断电后仍能记忆工作模式。该技术有望用于芯片散热、辐射冷却、热光伏能量转换及红外发射器等领域，但仍处于早期实验室验证阶段。