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IT Home·· 2026-08-07AI 评分40

SK 海力士确认 V10 NAND 为 375 层堆叠,导入晶圆键合技术

SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠,导入晶圆键合技术

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AI 导读

SK 海力士在 FMS 2026 峰会新闻稿中确认,新一代 V10 NAND 采用 375 层堆叠设计,是其首款采用晶圆键合技术的 NAND 产品,每瓦性能达上代 2.5 倍,计划 2027H1 量产基于该 NAND 的企业级固态硬盘。

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