IT Home·2026-08-07 18:02· 2026-08-07AI 评分40SK 海力士确认 V10 NAND 为 375 层堆叠,导入晶圆键合技术SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠,导入晶圆键合技术阅读原文 本站未展示全文,请前往来源网站阅读。AI 导读SK 海力士在 FMS 2026 峰会新闻稿中确认,新一代 V10 NAND 采用 375 层堆叠设计,是其首款采用晶圆键合技术的 NAND 产品,每瓦性能达上代 2.5 倍,计划 2027H1 量产基于该 NAND 的企业级固态硬盘。来源:IT Home · ithome.com#行业动态#数据/训练