三星全永铉与英伟达黄仁勋会面，讨论 HBM4、晶圆代工等合作

三星电子副会长兼联席 CEO 全永铉与英伟达 CEO 黄仁勋举行闭门商务会议，双方就 HBM4、晶圆代工等短期合作事宜进行讨论。全永铉表示，双方正合作研发 4 纳米和 8 纳米节点的自动驾驶芯片及英伟达加速器芯片，并就 HBM4E、HBM5、代工业务等长期合作广泛交换意见。三星计划从明年起通过 HBM4E 和 HBM5 继续与英伟达长期合作。