AI 内存 V-Die 方案亮相：侧立放置 DRAM 吞吐 540 tokens/s，较 HBM4 高 82.43%

韩国蔚山国立科学技术院（UNIST）提出 V-Die 内存方案，将 DRAM 芯片侧立放置并取消 TSV，在 GPT-3 规模负载中达到 540 tokens/s，较 HBM4 的 296 tokens/s 高出 82.43%。