中国科学院微电子所突破 3D DRAM 技术，首次展示 4 层 3D 2T0C，数据保持 400 秒

中国科学院微电子研究所联合北京超弦设备研究院在基于 IGZO 的 2T0C 3D DRAM 研究中首次展示四层 3D 2T0C 结构，数据保持时间达 400 秒，并实现 3 bits/cell 存储。研究提出基于 2T0C 单元的单步高层三维集成方案，采用垂直字线和双栅设计。相关论文已入选 VLSI 2026，针对传统 SRAM 容量受限和片外 DRAM 延迟问题提供了一条三维集成路线。