Neo Semiconductor 公布 2T SRAM 设计 X-SRAM，宣称片上缓存容量可达现有方案 5 倍
Neo Semiconductor 公布 2T SRAM，宣称可实现 5 倍片上缓存容量
阅读原文
本站未展示全文，请前往来源网站阅读。
AI 导读
Neo Semiconductor 在 FMS 2026 上公布双晶体管（2T）SRAM 设计 X-SRAM，宣称可实现现有方案 5 倍的片上缓存容量，并可将片上 SRAM 容量提升至 GB 级别。
来源：IT Home · ithome.com