Etched 完成 AI 推理芯片 A0 流片:低电压架构提升实际算力,SRAM + HBM 组合缓存
AI 芯片新创 Etched 完成流片:低电压提升实际算力表现,SRAM + HBM 缓存
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AI 导读
AI 芯片初创企业 Etched 宣布其推理加速器芯片完成 A0 步进流片和首批机架构建,首批机架产品预计 2026 年夏天出货。该芯片采用台积电 N4P 制程,数学模块电压比大多数竞品低 50% 以上,可以超 80% 的"算力效率"运行 1T 规模稀疏 MoE 模型。缓存侧采用片上 SRAM + 片外 HBM 组合设计,兼顾低延迟与大容量。
来源:IT Home · ithome.com