三星展示业界首款 V10 BV-NAND：超 400 层，存储密度提升约 58%

三星在 2026 年 FMS 大会上首发 V10 BV-NAND，采用 Bonding V-NAND 架构，层数超 400 层，存储密度较上一代 V9 提升约 58%，读写与 I/O 性能均优于上代。