三星越南首座芯片测试工厂动工,目标 2027 年 11 月投产
年产 1533 亿 Gb DRAM 内存芯片,三星越南首座半导体测试工厂有望明年投产
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AI 导读
三星计划投资 39 万亿越南盾(约合 100.23 亿元人民币)在越南太原省工业园建设其在越南的首座芯片测试工厂,目标 2027 年 11 月投产。该工厂聚焦 DRAM 和 NAND 两类存储芯片测试,提案文件显示年产能可达 1533 亿 Gb DRAM 与 2556 亿 Gb NAND。
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