SK 海力士计划重启大连二厂扩建，将生产 238 层 NAND 闪存

SK 海力士计划重启大连第二工厂扩建工程，从今年下半年起搬入生产设备，明年上半年分阶段完成设施建设，新产线为 V8 生产线，生产 238 层 NAND 闪存，月产能目标 3 万至 5 万片晶圆。该投资计划 2022 年宣布后因 NAND 行业遇冷暂缓，SK 海力士称 AI 数据中心推动 NAND 需求增长，重启可能性升高，但具体日程尚未最终确定。