凌存科技提供算力芯片供电与互联系统级交付方案

2026年10月28日，DeepTech深科技报道，苏州凌存科技将高容硅电容、硅中介层与先进封装仿真整合，为算力芯片客户提供从供电到互联的系统级一站式交付。报道称，其HD系列高容硅电容采用12英寸工艺，容值密度最高达3500 nf/mm²，等效串联电阻仅0.9 mOhm-mm²；硅中介层支持最大9层铜加1层铝互联，凸块间距小于40微米。公司表示可在客户项目第一天介入仿真设计，以减少多头对接与返工。目前该方案的具体客户与量产进展尚未披露。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。