SK海力士公布3D FeNAND模拟存内计算技术

2026年10月15日，SK海力士公布3D FeNAND实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关论文已发表于IEEE。该技术利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合承载AI计算所需的权重数据。A-CiM能直接在存储器内执行乘积累加运算（MAC），从而减少数据搬运、提升处理速度和能效。报道称该技术瞄准AI计算应用。目前进展为研究成果公布及论文发表，尚无后续产业化或量产信息。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。