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美光预告G11 NAND超400层堆叠
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AI 综述
2026年10月22日，IT Home报道美光预告G11 NAND闪存。报道称，G11堆叠超过400层，跳过G10世代，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的2倍，I/O速率至高提升1.5倍，数据传输能耗减少25%以上，计划2027年下半年产能爬坡。目前该事件仅有这一篇报道，尚无后续进展披露。
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最新进展10月22日 10:05
美光预告G11 NAND超400层，密度约为G9两倍，2027H2爬坡。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月22日
- IT Home美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，密度翻倍，2027H2 产能爬坡
美光预告 G11 NAND 闪存，堆叠超过 400 层，跳过 G10 世代，按面积计算的存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍，I/O 速率至高提升 1.5 倍，数据传输能耗减少 25% 以上，计划 2027H2 产能爬坡。
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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。