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铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片流片
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2026年10月14日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成首代高密度大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。据 IT Home 报道，该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台及 1T4R 存储结构，单芯片容量达 1Gb，存储密度 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。公司称此次流片标志 1TnR 高密度存储技术从实验室研究推进至 Gb 级芯片产品化落地的关键一步。
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最新进展10月14日 15:54
铭芯启睿宣布首款1Gb RRAM芯片“泰山一号”流片，正推进验证。报道时间线
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10月14日
- IT Home铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片：1T4R 结构，密度 30Mb/mm²
铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成首代高密度大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台及 1T4R 存储结构，单芯片容量达 1Gb，存储密度 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。公司称此次流片标志 1TnR 高密度存储技术从实验室研究推进至 Gb 级芯片产品化落地的关键一步。
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