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NVIDIA下代Groq LPU芯片转向3D堆叠DRAM
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AI 综述
2026年10月21日，IT Home报道称，NVIDIA下一代Groq LPU AI推理加速器芯片有望放弃当前一代的大容量SRAM缓存设计，转向基于TSV工艺的3D堆叠DRAM方案。报道给出的理由是：SRAM容量较小，制程升级带来的密度收益有限，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。报道还提到，同样采用大SRAM路线的Cerebras此前已预告CS-6将3D垂直集成DRAM。目前该消息仍属传闻，NVIDIA尚未确认，后续进展有待观察。
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最新进展10月21日 11:24
消息称NVIDIA下代Groq LPU将放弃大SRAM方案，转向3D堆叠DRAM。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月21日
- IT Home消息称 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案
NVIDIA 下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV 工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案，放弃当前一代的大容量 SRAM 缓存设计。SRAM 存在容量较小、制程升级密度收益有限的问题，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。同样采用大 SRAM 路线的 Cerebras 此前已预告 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。
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