三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 AI 负载优化的 NAND 闪存，加上此前公布的 zNAND-O 共三种型号。zNAND-T 的 T 代表吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die，类似闪迪和 SK 海力士的 HBF 概念，优化数据中心 AI 读写带宽；zNAND-I 的 I 指 IOPS，强调少量数据频繁读写，如 KV Cache 卸载场景。