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三星开发zNAND-T与zNAND-I闪存优化AI负载
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AI 综述
2026年10月12日，IT Home报道三星电子正在开发zNAND-T与zNAND-I两款面向AI负载优化的NAND闪存，与此前公布的zNAND-O合计共三种型号。报道称，zNAND-T中的T代表吞吐量，采用TSV堆叠NAND Die，类似闪迪和SK海力士的HBF概念，面向数据中心AI读写带宽优化；zNAND-I中的I指IOPS，强调少量数据频繁读写，例如KV Cache卸载场景。目前报道仅披露两款型号的定位与技术方向，未提及具体规格、量产时间或商用计划。
AI 根据报道生成 · 2 小时前更新
最新进展10月12日 13:54
三星新增zNAND-T与zNAND-I两款AI优化闪存，与zNAND-O构成三型号布局。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- IT Home三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 AI 负载优化的 NAND 闪存，加上此前公布的 zNAND-O 共三种型号。zNAND-T 的 T 代表吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die，类似闪迪和 SK 海力士的 HBF 概念，优化数据中心 AI 读写带宽；zNAND-I 的 I 指 IOPS，强调少量数据频繁读写，如 KV Cache 卸载场景。
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