给 AI 芯片“退烧”：国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底在长沙问世，通过台积电认证测试、并给三星送样

湖南泰坦未来科技推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅（Poly-SiC）衬底，瞄准 AI 芯片与先进封装散热瓶颈。该衬底沉积速度达每小时 60 微米，最低电阻率小于 1 毫欧·厘米，孔洞缺陷少于每平方厘米 0.1 个，热导率≥300W/(m·K)。产品已通过台积电相关认证测试并向三星送样，正从样品验证转向小批量试产，预计 2027 年后逐步规模化供货。