国内首款12英寸多晶碳化硅衬底问世

2026年10月29日，湖南泰坦未来科技推出国内首款12英寸多晶碳化硅（Poly-SiC）衬底，瞄准AI芯片与先进封装散热瓶颈。报道称该衬底沉积速度达每小时60微米，最低电阻率小于1毫欧·厘米，孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，热导率≥300W/(m·K)。产品已通过台积电相关认证测试并向三星送样，正从样品验证转向小批量试产，预计2027年后逐步规模化供货。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。