三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

据首尔经济日报报道，三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产 NVHBM 的基底裸片，核心裸片则统一采用第六代 1c DRAM 工艺。NVHBM 是英伟达 8 月发布的基于 HBM4E 架构的定制高带宽内存；英伟达同时向三星、SK 海力士和美光提出了相同要求，目的是统一设计以获得稳定性能并减少验证工作量。