热点事件持续更新
三星将用台积电3nm工艺为英伟达生产HBM基底裸片
1 篇报道1 个报道来源2 小时前更新
先了解这件事
AI 综述
2026年8月，英伟达发布基于HBM4E架构的定制高带宽内存NVHBM。据首尔经济日报2026年10月18日报道，三星将采用台积电3nm工艺为英伟达生产NVHBM的基底裸片，核心裸片则统一采用第六代1c DRAM工艺。报道称，英伟达同时向三星、SK海力士和美光提出了相同要求，目的是统一设计以获得稳定性能并减少验证工作量。目前进展停留在报道层面，尚无相关方公开确认或披露量产时间等细节。
AI 根据报道生成 · 2 小时前更新
最新进展10月18日 22:51
首尔经济日报称三星将以台积电3nm工艺为英伟达NVHBM生产基底裸片。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月18日
- IT Home三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片
据首尔经济日报报道，三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产 NVHBM 的基底裸片，核心裸片则统一采用第六代 1c DRAM 工艺。NVHBM 是英伟达 8 月发布的基于 HBM4E 架构的定制高带宽内存；英伟达同时向三星、SK 海力士和美光提出了相同要求，目的是统一设计以获得稳定性能并减少验证工作量。
本事件热度走势
当前热度 9·可比范围峰值 10（10月18日 23:00）·近 24 小时可比范围变化 –
趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。