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台积电A14工艺将缩小6T SRAM位元
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AI 综述
2026年10月21日，SemiAnalysis在X上称，台积电将在IEDM上展示A14工艺的6T高密度SRAM单元，面积小于0.017μm2，为世界最小。报道称，该单元面积自2020年N5以来一直停留在0.021μm2，新设计密度提升25%；在内存瓶颈加剧、设计使用更多SRAM的背景下意义重大。目前进展为台积电计划在IEDM发布该设计，尚无更多细节。
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最新进展10月21日 09:06
台积电将在IEDM展示A14工艺6T高密度SRAM单元，面积小于0.017μm2。报道时间线
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10月21日
- SemiAnalysis (@SemiAnalysis_) · X台积电将在 IEDM 发布 A14 工艺更小的 6T 高密度 SRAM 单元
台积电将在 IEDM 上展示 A14 工艺的 6T 高密度 SRAM 单元，面积小于 0.017μm2，为世界最小。此前自 2020 年 N5 以来一直停留在 0.021μm2，新设计密度提升 25%，在内存瓶颈加剧、设计使用更多 SRAM 的背景下意义重大。
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